- 产品型号 K4F6E3S4HM-MGCJ
- 品牌 Samsung Semiconductor
- RoHS Yes
- 描述 LPDDR4 16Gb x32 3733 Mbps 1.1v
- 分类 记忆
技术细节
- 安装类型 200-TFBGA
- 匝数 Surface Mount
- Q值 @ 频率 16Gbit
- 外壳材料 Volatile
- 扭矩 - 螺丝 -25°C ~ 85°C
- 直径 - 内径 1.1V
- 电压 - VCCB 1866 MHz
- 内存 DRAM
- Parallel
- 512M x 32
- Not Verified
相关产品
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 200TFBGA
库存: 266
DDR4-2400 4GB (512MX8)0.833NS CL
库存: 8000
DDR3-1866 1GB (64MX16)1.07NS CL1
库存: 1082
DDR3-1600 4GB (256MX16)1.25NS CL
库存: 1953
LPDDR4 8Gb x32 3733 Mbps 1.1v 20
库存: 2560
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
库存: 0
DDR1 256Mb(16MX16)400Mhz 5ns CL3
库存: 6000
IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
库存: 1211
IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
库存: 2297
IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
库存: 784
